“Littelfuse” SiC MOSFET we ýokary güýçli IGBT-ler üçin IX4352NE pes gapdal draýwerleri bilen tanyşdyrýar

Elektrik ýarymgeçirijiler boýunça dünýäde öňdebaryjy IXYS, önümçilik goşundylarynda kremniy karbid (SiC) MOSFET-leri we ýokary güýçli izolýasiýa derwezesi bipolýar tranzistorlary (IGBT) güýçlendirmek üçin döredilen täze sürüjini işe girizdi.Täzeçillik IX4352NE sürüjisi, açyk we öçürilen wagty üpjün etmek, kommutasiýa ýitgilerini netijeli azaltmak we dV / dt immunitetini ýokarlandyrmak üçin döredildi.

IX4352NE sürüjisi, senagat goşundylary üçin birnäçe artykmaçlygy hödürleýän pudak oýun çalşygydyr.SiC MOSFET-leri bortdaky we daşarky zarýad berijiler, güýç faktoryny düzetmek (PFC), DC / DC öwrüjileri, motor gözegçileri we senagat güýji inwertorlary ýaly dürli sazlamalarda sürmek üçin iň amatlydyr.Bu köpugurlylyk, netijeli, ygtybarly energiýa dolandyryşy möhüm ähmiýete eýe bolan dürli önümçilik goşundylarynda gymmatly baýlyga öwrülýär.

IX4352NE sürüjisiniň esasy aýratynlyklaryndan biri, ýöriteleşdirilen açmak we öçürmek wagtyny üpjün etmek ukybydyr.Bu aýratynlyk, ýitgileri azaltmak we umumy netijeliligi ýokarlandyrmak, kommutasiýa prosesine takyk gözegçilik etmäge mümkinçilik berýär.Geçiş wagtynyň wagtyny optimizirlemek bilen, sürüji güýç ýarymgeçirijileriň optimal öndürijilikde işlemegini üpjün edýär, şeýlelik bilen energiýa netijeliligini ýokarlandyrýar we ýylylyk öndürilişini azaldýar.

Takyk wagt gözegçiliginden başga-da, IX4352NE sürüjisi güýçlendirilen dV / dt immunitetini üpjün edýär.Bu aýratynlyk, güýçli naprýa .eniýe üýtgemeleriniň naprýa .eniýeliň köpelmegine we ýarymgeçirijilere zeper ýetirip bilýän ýokary güýçli programmalarda aýratyn möhümdir.Güýçli dV / dt immunitetini üpjün etmek bilen, sürüji SiC MOSFET we IGBT-leriň önümçilik şertlerinde, hatda kyn naprýa .eniýe geçirijilerine garamazdan ygtybarly we ygtybarly işlemegini üpjün edýär.

IX4352NE sürüjisiniň ornaşdyrylmagy, elektrik ýarymgeçiriji tehnologiýasynda ep-esli ösüşi görkezýär.Customöriteleşdirilen açyk we öçürmek wagty, güýçlendirilen dV / dt immuniteti bilen utgaşyp, netijelilik, ygtybarlylyk we öndürijilik möhüm ähmiýete eýe bolan önümçilik goşundylary üçin amatly edýär.IX4352NE sürüjisi, dürli senagat şertlerinde SiC MOSFET-leri sürmäge ukyply we elektrik elektronikasy pudagyna uzak wagtlap täsir etmegine garaşylýar.

Mundan başga-da, sürüjiniň bortdaky we daşarky zarýad berijiler, güýç faktoryny düzetmek, DC / DC öwrüjileri, motor dolandyryjylary we senagat kuwwatly inwertorlary ýaly dürli önümçilik goşundylary bilen sazlaşyklylygy, köpugurlylygyny we giň kabul ediş mümkinçiligini görkezýär.Senagatlar has netijeli we ygtybarly energiýa dolandyryş çözgütlerini talap etmegini dowam etdirýärkä, IX4352NE sürüjisi bu üýtgeýän zerurlyklary kanagatlandyrmak we senagat elektrik elektronikasynda täzelikleri höweslendirmek üçin gowy ýagdaýyndadyr.

Gysgaça aýtsak, IXYS-iň IX4352NE sürüjisi güýç ýarymgeçiriji tehnologiýasynda öňe gidişligi görkezýär.Customöriteleşdirilen açyk we öçürmek wagty we güýçlendirilen dV / dt immuniteti SiC MOSFET we IGBT-leri dürli önümçilik programmalarynda sürmek üçin amatly edýär.Senagat kuwwatyny dolandyrmagyň netijeliligini, ygtybarlylygyny we öndürijiligini ýokarlandyrmak mümkinçiligi bilen IX4352NE sürüjisiniň elektrik elektronikasynyň geljegini emele getirmekde möhüm rol oýnamagyna garaşylýar.